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概要
フラッシュメモリとは、書き換え可能な読み取り専用メモリのこと。
内部に電子を蓄えたり放出したりすることでデータを保持する不揮発性メモリに分類される。
写真のフラッシュのようにパッと消せることからフラッシュメモリ（Flash Memory）と名付けられ、他にもフラッシュEEPROMやフラッシュROMとも呼ばれる。
製品の価格や品質によるが、データを保持できる寿命が存在する。安いUSBなどはだいたい数年で消えてしまい、書き換え回数も500回くらいまでしか耐えられないものもある。
種類
| メモリセルの記憶容量 | セルトランジスタのしきい電圧 | |
|---|---|---|
| SLC(Single Level Cell) | 1bit | 2段階（消去1,書き込み1） |
| MLC(Multi Level Cell) | 2bit | 4段階（消去1,書き込み3） |
| TLC(Triple Level Cell) | 3bit | 8段階（消去1,書き込み7） |
| QLC(Quadruple Level Cell) | 4bit | 16段階（消去1,書き込み15） |
NAND型とNOR型
| 名称 | NAND型 | NOR型 |
|---|---|---|
| ランダムアクセス読み出し単位 | ブロック | バイト |
| 書き込み速度 | 高速 | 低速 |
| 高集積化 | 有利 | 不利 |
| インターフェース | DRAM | SRAM |
| 用途 | スマホ、デジカメなどのデジタルストレージ | マイコンなど |